在“ISSCC”的第5场分会“Processors”上，以美国英特尔为代表，美国Sun Microsystems、瑞萨科技、美国IBM及美国AMD等接连发布了有关高性能处理器的技术。其中英特尔及AMD两公司分别发布了首款采用32nm级工艺技术的微处理器，会场盛况空前，许多人甚至站着听讲。首款65nm、45nm级处理器分别于06年和08年的“ISSCC”上发布，处理器每2年提高一代。
英特尔发布了名为“Westmere”的处理器系列。对于该公司来说，这是第2代采用high-k栅极绝缘膜及金属栅极的6核处理器，集成了11.7亿个晶体管及12MB的三级缓存。
技术发布的多数时间都为低耗电技术内容占据。该公司除了首次在名为“Uncore”的L3缓存等处理器内核以外的部分采用断电技术之外，还首次采用了LVDDR3（Low Voltage DDR3）。这样，与去年在ISSCC上发布的65nm级四核处理器“Nehalem”的面积（262mm2→240mm2）及耗电量（60～130W）几乎相同，但内核数量增加为6核。
不仅是英特尔此次的发布，从06年起高性能处理器的功耗及频率的发表就一直保持在一定的水平上。由此可见，最新工艺目前所面临的课题是如何在不增加功耗的情况下，增加处理器的数量及缓存的尺寸，以提高性能。
AMD也发布了32nm级处理器内核。采用了high-k栅极及金属栅极的SOI工艺。处理器内核的工作频率为3GHz以上，不包括L2缓存的内核面积为9.69mm2，包括L2缓存及断电部件在内的面积为17.7mm2。
通过采用SOI工艺，可在电源开关上使用普通阈值电压的NMOS晶体管。AMD表示，通过将封装层的布线作为接地线，就无需去年ISSCC上英特尔发布的Nehalem处理器那样的特殊晶体管及硅金属布线。
另外，论文序号5.4及论文序号5.5是IBM发布的内置8内核及32线程的“Power7”处理器和内置16个内核的名为“Wire-Speed Power Processor”的SoC。并且采用了该公司的45nm级SOI工艺，Power7在32MB的L3缓存的数据部分、Wire-Speed Power Processor在8MB的L2缓存上使用了混载DRAM。
混载DRAM的单元尺寸为0.067μm2。英特尔采用32nm级工艺的Westmere的L3缓存的SRAM单元尺寸也达到了0.171μm2，因此单位面积密度非常高。IBM在发布Wire-Speed Power Processor时表示，面积为SRAM的2倍，耗电量为SRAM的5倍以上即可。
各公司发布的处理器都利用了各自的工艺特点，这一点意味深远。
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